Ose
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WEBSep 26, 2016 · 和A周围POLY环境基本一致，参数也会较为接近。ose原理也相近。 其实可以理解为扩散、注入等过程中，边缘浓度与中间会有很大的差别，所以需要周围加足够多的dummy，加的越多，中间器件的差别自然越小。
Bbs.eetop.cn40nm版图设计 - Layout讨论区 - EETOP 创芯网论坛 (原名：电子 …
WEBSep 19, 2018 · lod就是od的长度的效应，来源确实是sti对od区域的应力；ose是od的space，也就是od之间的sti有多长，也是sti对od应力的另外一个表征。 PSE你理解是对的，效应的本质也是应力，主要产生的原因是CESL的原因。
Bbs.eetop.cntsmc22nm OSE PSE - Layout讨论区 - EETOP 创芯网论坛 (原 …
WEBMay 25, 2022 · 不是的吧，更早就有了吧。. ose OD space effect PSE POly space effect 两种效应 是22nm特有的吗？. 之前看40nm 的时候 不记得写过这两种。. tsmc22nm ose PSE ,EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)
Bbs.eetop.cn[求助] 哪位大神能帮忙解释一下OSE（OD space effect - EETOP
WEBJun 19, 2013 · 简单说下： 65nm以下工艺都出现一些各种各样的效应，如WPE，ose,PSE等 我一般叫ose，其实就是STI部分对MOS active区域的应力造成的影响，对于analog layout影响较大，因为MOS match 不好，举个例子：假如有match是这样的，ABBAABBA（共享 同一块OD），因为ose的影响，最边上
Bbs.eetop.cn所谓的OSE PSE效应如何理解？ - 后端讨论区 - EETOP 创芯网论 …
WEBMay 24, 2013 · 相关帖子. • 求DC_T 2009.06的student guide和lab guide！. 所谓的ose PSE效应如何理解？. 搜了一下论坛似乎没看到这方面的解释 所谓的ose PSE效应如何理解？. ,EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)
Bbs.eetop.cnEETOP 创芯网论坛-中国著名的集成电路设计论坛、IC设计论坛、 …
WEBEETOP 创芯网论坛-中国著名的集成电路设计论坛、IC设计论坛、半导体论坛、微电子论坛，广受欢迎的专业电子论坛! 任务. 全部帖 allthread. 创芯云服务 : 创芯大讲堂 | 创芯人才网 | 数字IC职业培训 EETOP诚邀线上IC培训讲师! 帖子. 日志. 用户. 公告: 大附件建议上传在
Bbs.eetop.cn朴彩英（Rosé） - 知乎
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Zhihu.com什么叫做阱偏效应，如何解释？ - Layout讨论区 - EETOP 创芯网 …
WEBJul 18, 2012 · x. 很想知道什么叫做阱偏效应，也即是WPE（well proximity effect），如何解释？. 曾经在40nm的TSMC工艺中遇到这个问题，一直不明白这究竟是怎么回事？. 请大家给予解释，讲解一下原理，谢谢！. 除此还有LOD（length of the OD region），ose（OD space effect），PSE（poly space
Bbs.eetop.cn关于版图匹配共质心方式的问题 - Analog/RF IC 设计讨论
WEBSep 4, 2014 · 其实我并不喜欢ABBA，相比之下ABAB更好，当然两边加dummy, ABBA是为了对抗梯度，不过在小尺度上，梯度早就不是问题，反而是LOD，WPE，PSE，ose effect是主要因素
Bbs.eetop.cn工艺越小，越要注意些什么？？ - Layout讨论区 - EETOP 创芯网 …
WEBJun 4, 2015 · 1，二级效应，TSMC的叫法是 WPE,ose,PSE,LOD。具体自己看下rule吧。记得让电路把analog管子的DFM开关打开。 2，IRdrop，因为小工艺的金属比较薄，过流能力不行，一般小工艺金属层会很多，1p10m经常见，像大电流就得多叠几层或者用TOPmetal。 3，寄生更大。
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